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asked in 科學其他:科學 · 1 decade ago

何謂CVD製程與PVD製程

如題~

今天問了某人,因我們的機台是用濺鍍方式,將因錫鈀上的東西打出來乘積在玻璃上面,某人就跟我說這是PVD製程,最後濺鍍製程中有加Ar、O..等氣體,所以最後某人又說這也算是CVD製程。

請問,某人說的事正確的嗎!?

4 Answers

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    Lv 7
    1 decade ago
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    CVD稱為化學氣相沉積,也就是利用化學反應,讓二種原本不相甘的材料經過化學反應的方式產生另一個新的化合物,然後沉積在你的基板上面。稱為CVD。通常導入的氣體是要跟著反應的氣體

    PVD稱為物理氣相沉積,也就是只行物理反應,通入的氣體並沒有與裡面的預鍍材料發生化學變化而產生新的化合物(頂多就讓材料變成離子態)。然後鍍在材料基板上面。

    像你說的錫鈀上如果直接打出來,而沉積在基板上的,就叫PVD。但如果有與通入的氣體反應(EX:O)那變成有經過化學變化,應該稱為CVD。而Ar通常是沒有進行化學變化的保護氣體使用。

    Source(s): 淺薄的半導體理論
  • 1 decade ago

    是PVD

    兩者強調的事物不同;

    設備或許是混合有CVD和PVD的原理

    但Sputter..的原意是來自(希臘文或拉丁文 , 我忘了) 碰撞的字意

    意思上即是指物理上 的原子狀擊.是動能.即濺鍍方式,

    而CVD較強調是因熱能 所產生的化學反應...如鍍鏡片的機台.

    2008-06-30 12:13:32 補充:

    如果有與通入的氣體反應(EX:O)那變成有經過化學變化,應該稱為CVD。

    我不認同

    反應性濺鍍 還是PVD...不歸類為CVD...

  • ?
    Lv 7
    1 decade ago

    Ar的作用不是當成保護氣體,是當做子彈用的.

  • ?
    Lv 5
    1 decade ago

    一般而言濺鍍是屬於PVD製程,

    但有時會在濺鍍時通入反應性氣體,

    如O2, NH3等(Ar 不算, 因為Ar不會反應),

    稱為反應式濺鍍(Reactive sputtering)。

    如以Al為靶材,

    濺鍍時通入N2則可鍍上AlN,

    這種靶材材料與所鍍膜的材質不同,

    是靠化學反應成膜上去的,

    要說是CVD也未嘗不可,

    但習慣上大家還是把濺鍍說是PVD,

    所以這一題答案沒有絶對的對與錯,

    稱呼只是一種習慣,

    這一種情形下,

    PVD或CVD都可以。

    Source(s): 自己
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