榮萍 asked in 科學其他:科學 · 1 decade ago

接面電晶體與MOSFET電晶體運作與功能上有何不同

大人幫忙~

請說明接面電晶體與MOSFET電晶體兩者(1)運作與(2)功能有何不同?

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  • 文昌
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    1 decade ago
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    接面電晶體與MOSFET電晶體運作與功能上有何不同

    大人幫忙~

    請說明接面電晶體與MOSFET電晶體兩者(1)運作與(2)功能有何不同?

    金屬-氧化層-半導體-場效電晶體,簡稱金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效電晶體(field-effect transistor)。MOSFET依照其「通道」的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

    常用於MOSFET的電路符號有多種形式,最常見的設計是以一條垂直線代表通道(Channal),兩條和通道平行的接線代表源極(Source)與汲極(Drain),左方和通道垂直的接線代表閘極(Gate),如下圖所示。有時也會將代表通道的直線以虛線代替,以區分增強型MOSFET(enhancement mode MOSFET)或是耗盡型MOSFET(depletion mode MOSFET)。

    由於集成電路晶片上的MOSFET為四端元件,所以除了源極(S)、汲極(D)、閘極(G)外,尚有一基極(Bulk或是Body)。MOSFET電路符號中,從通道往右延伸的箭號方向則可表示此元件為n-type或是p-type的MOSFET。箭頭方向永遠從P端指向N端,所以箭頭從通道指向基極端的為p-type的MOSFET,或簡稱PMOS(代表此元件的通道為p-type);反之若箭頭從基極指向通道,則代表基極為p-type,而通道為n-type,此元件為n-type的MOSFET,簡稱NMOS。在一般分散式MOSFET元件(discrete device)中,通常把基極和源極接在一起,故分散式MOSFET通常為三端元件。而在積體電路中的MOSFET通常因為使用同一個基極(common bulk),所以不標示出基極的極性,而在PMOS的閘極端多加一個圓圈以示區別。

    幾種常見的MOSFET電路符號,加上接面場效電晶體(Junction Field-Effect Transistor, JFET)一起比較:

    圖片參考:http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thum...

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    圖片參考:http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thum...

    P-channel

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    圖片參考:http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thum...

    N-channel

    JFET

    加強式MOSFET

    空乏式MOSFET

    大多是應用在穩壓+ - 電源

    以下電的Q1'Q2"Q3"Q4就可清潔參閱 下載EVOLUTION穩壓電路圖 Schematic

    http://ucccap.myweb.hinet.net/pics/evolution001.jp...

    Source(s): 維基百科
  • 1 decade ago

    你是指BJT/MOSFET的差異嗎

  • 電晶體(transistor)是一種固態半導體元件,可以用於放大、開關、穩壓、信號調製和許多其他功能。

    電晶體作為一種可變開關,基於輸入的電壓,控制流出的電流,因此電晶體可做為電流的開關,和一般機械開關(如Relay、switch)不同處在於電晶體是利用電訊號來控制,而且開關速度可以非常之快,在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。

    在類比電路中,電晶體用於放大器、音頻放大器、射頻放大器、穩壓電路; 在電腦電源中,主要用於開關電源。

    電晶體也應用於數位電路,主要功能是當成電子開關。數位電路包括邏輯閘、隨機存取記憶體 (RAM) 和微處理器。

    電晶體在使用上有許多要注意的最大額定值,像是最大電壓、最大電流、最大功率……,在超額的狀態下使用,電晶體內部的結構會被破壞。每種型號的電晶體還有特有的特性,像是直流放大率hfe、NF噪訊比…等,可以藉由電晶體規格表或是Data Sheet得知。

    電晶體在電路最常用的用途應該是屬於訊號放大這一方面,其次是阻抗匹配、訊號轉換……等,電晶體在電路中是個很重要的元件,許多精密的組件主要都是由電晶體製成的

    http://zh.wikipedia.org/wiki/%E6%99%B6%E4%BD%93%E7...

    今日半導體元件的材料通常以矽(silicon)為首選,但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的製程,當中最著名的例如IBM使用矽與鍺(germanium)的混合物所發展的矽鍺製程(silicon-germanium process, SiGe process)。而可惜的是很多擁有良好電性的半導體材料,如砷化鎵(gallium arsenide, GaAs),因為無法在表面長出品質夠好的氧化層,所以無法用來製造MOSFET元件。

    當一個夠大的電位差施於MOSFET的閘極與源極(source)之間時,電場會在氧化層下方的半導體表面形成感應電荷,而這時所謂的「反轉通道」(inversion channel)就會形成。通道的極性與其汲極(drain)與源極相同,假設汲極和源極是n-type,那麼通道也會是n-type。通道形成後,MOSFET即可讓電流通過,而依據施於閘極的電壓值不同,可由MOSFET的通道流過的電流大小亦會受其控制而改變。

    MOSFET在1960年由貝爾實驗室(Bell Lab.)的D. Kahng和 Martin Atalla首次實作成功,這種元件的操作原理和1947年蕭克萊(William Shockley)等人發明的雙載子電晶體(Bipolar Junction Transistor, BJT)截然不同,且因為製造成本低廉與使用面積較小、高整合度的優勢,在大型積體電路(Large-Scale Integrated Circuits, LSI)或是超大型積體電路(Very Large-Scale Integrated Circuits, VLSI)的領域裡,重要性遠超過BJT。

    http://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=MOSFET&v...

    Source(s): 天之心
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