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small friend asked in 科學工程學 · 1 decade ago

半導體元件 Charge Pumping Current

請問一下

charge pumping current 到底是什麼??

作用原理為何??

對於元件到底是好還是壞??

有一點搞不清楚

麻煩大大幫小弟解答 多謝!!!!!!!!!!

Update:

不好意思 這位大大 我要問的是元件內的 charge pumping current

不是電路的 charge pumping current

2 Answers

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    Lv 5
    1 decade ago
    Favorite Answer

    Charge- pumping current 是用來測量 MOS電晶體的界面陷井密度(Interface-trap density, Dit)的一種方法. 對於MOS元件並不是有甚麼好與壞的關係.

    測量的原理如下:

    將MOS電晶體的Source與Drain端接在一起且加上逆偏電壓Vr.接著, 在Gate端加上連續的脈衝電壓Vg, 使得MOS電晶體的通道能夠在Inversion與Accumulation區間來回變化.

    (1). Vg>>臨限電壓Vt:

    MOS電晶體的Inversion層形成, 界面陷井密度Dit會充放電(抓住或放出電子), substrate端就會量到Charge- pumping current, Icp.

    (2).Vg<<臨限電壓Vt:

    MOS電晶體的Accumulation層形成,界面陷井密度Dit不會充放電, 在 substrate端就不會量到Charge- pumping current, Icp.

    這樣可以得到 Icp與Vg的關係曲線, 知道界面陷井密度(Interface-trap density, Dit)的分佈與大小.

    可參考這本書:

    Semiconductor Material and Device Characterization

    Source(s): 以前學過的
  • 文昌
    Lv 7
    1 decade ago

    正/負高電壓電荷幫浦(charge pumping current )電路

    http://www.sacg.com.tw/sacweb/marcom/epaper/images...

    低壓降壓轉換器(Low-Dropout,LDO) 動作原理及特點

    電路架構如圖一,其操作原理為,當輸入電壓VI >Vo時,藉由電晶體吸收VI 和Vo的電壓差Vdrop out = VI - Vo,並由回授控制電路控制以提供平穩的輸出電壓Vo。由於電晶體操作於主動區,其作用如同一個可變電阻,即消耗功率為P = I Vdropout,當電壓差Vdropout和電流I愈大,則轉換效率愈低。

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