人間 asked in 科學其他:科學 · 1 decade ago

電子學英文翻譯問題

這個是場效電晶體 物理特性的部分 增強型 空乏型 JFET 這3個單元

還有我不是不想到英文那發問,差別在專有名詞他們不懂真正意思翻了也

不知道答案~剛剛居然真的貼到英文那= ="案太快

Around the room temperature,the higher the temperature ,the large the drain current

他說這個敘述是對的,不過我還是感覺怪怪的,是我意思翻錯嗎

我是知道溫度上升,一度Vt下降2mv, k下降那電流也會下降

我補充公式 I = k (VGs-Vt)^2

Around the room temperature,the higher the temperature 請盡量幫我翻這個敘述

還有一題 ~題目是

Which of the following statemens concerning about a n-channel MOSFET is incorrect?

而答案說他不變,我是題目看不太懂,以下是問題

The large the threshold voltage is , the narrower the triode (linear) region in the

IDS-VDS characteristics

補充IDS(drain之間source電流) ~~~VDS(drain之間source電壓)

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  • 1 decade ago
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    1.譯為"在室溫下,溫度越高,汲極電流越大",溫度上升一度C,|Vt|下降2.2mV會導致iD↑,提高溫度並且使得K↓,但後者效應大於前者,故汲極電流應為下降,書本寫錯了!

    2.譯為"越大的臨界電壓會使得三極區在IDS-VDS特性曲線上的區域變窄",敘述應該沒錯,我猜他所謂的長短應該指的是Vov的大小,Vov=|VGS-Vt|,故Vt↑,Vov↓

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