? asked in 教育與參考考試 · 1 decade ago

誰會”電子學”的題目20點

( )1.五價元素對四價純質半導體(Intrinsic Semiconductor)的影響為(a)提共電子(b)提共電洞(c)沒有影響。

( )2.擴散(diffusion)電流的形成是因為(a)參雜濃度出現梯度所致(b)外加電場的影響。

( )3.PN接面空乏區內(a)幾乎無可自由移動的載子(b)充滿帶有電性的離子(c)存在著內建電場(d)維持電中性。以上何者錯誤。

( )4.PN接面順偏時,空乏區的寬度(a)增加(b)減少(c)沒有影響。

5.PN接面逆偏時,幾乎不通電。因為此時可移動的載子維非常少量的(a)Minority(b)Majority carriers。

( )6.PN接面的turn-off time 主要來自(a)移除(b)建立 Excess Minority CARRIERS 所需的時間。

( )7.PN接面二極體的cut-in voltage為(a)0.1V(b)0.2V(c)0.6V(d)5V。

( )8.為使 Zener diode 進入 Brreakdown,須提共其(a)逆偏(b)順偏電壓。

( )9.Zener Diode 進入 Breakdown 後,可以提供作為(a)定電壓源(b)定電流源。

( )10.Early Voltage 的產生是因為vce增加時,處於Forward-active Mode 的ic電流沒有維持定值,反而跟著增加所致。ic店樓增加是因為C-B

接面內偏電壓(a)增加(b)減少,導致中性基極區寬度減少,以致中性基極區內電子電洞發生復合之機會降低,因呎進入集極的載子數增加。

( )11.描述電路輸出端(負載端)電壓電流之關係曲線為Load Line。請寫出Figure3.25之負載線方程式:( )。

( )12.當npn電晶體的E-B接面順天時,該電晶體可能工作在(a)Inverse-active(b)Cutoff(c)Saturation(d)Forward-active。(#本題有複選題#)

( )13.下列哪些公式不可用於計算處於飽和區之電晶體電路(a)Ic=βIB(b)VBE(on)=0.7V(c)VCE(sat)=0.2V(d)IE=IC+IB。

( )14.(a)VCE>VCE(sat)(b)IC/IB<β。何者是npn電晶體工作於forwar-active Mode之檢查要件。

15.

( )16.操作點(Q點)為Load Line與電晶體ic-vCE特性曲線的交點,用以找出電晶體本身電壓和電流的(a)直流(b)交流成分。

( )17.此操作點(Q點)所表示的值是否與直流分析方法所求得之結果(a)相同(b)不相同。

( )18.For the circuit shown in Figure3.25,assumeβ=100,VBE(on)=0.7V,VCE(sat)=0.2V。

Determine Vo and the power dissipated in the transistor for the two Conditions(a)V1=0.2V,and(b)V1=3.6V。

2 Answers

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  • 1 decade ago
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    1.(a)五價元素為磷、砷、銻為施體雜質又為型雜質因此掺雜之後會使得電子數大於電洞數。

    2.(a)擴散電流的形成是因為濃度不均勻所造成的,而漂移電流的形成是因為電場強度造成的。

    3.(a)空乏區內還是有少數載子的擴散電流和再結合電流。

    4.(b)順偏時空乏區寬度比未加偏壓來得小。

    5.(a)為少數載子

    6.(a)PN接面的交換時間主要是排除儲存在中性區少數載子正,負電荷的時間。

    7.(c)Si→0.6V,Ge→0.2V

    8.(a)

    9.(a)因為穩壓了。

    10.(a)當VCB(RB)增加時,則W增加,所以結合的個數降低了。

    12.(c)、(d)當npn電晶體的E-B接面順偏時,電晶體有可能在作用區或飽和區。

    13.(a)、(b) Ic ≠βIB,VBE(on)=0.8V(因為IB大,對應VBE大)

    14.(b)

    16.(a)

    17.(a)

  • 1 decade ago

    給michael:michael~~我有課業的事要請教你,能給我你的信箱嗎??我留我的給你,egg720509@yahoo.com.tw~麻煩你看到請跟我聯繫一下,謝謝

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