asked in 科學工程學 · 2 decades ago

回復 再結晶 and 晶粒成長?

a.回復 b.再結晶 and c.晶粒成長?

有人知道 這三個stages 的 1.驅動力 2.機制 3.結果 ㄇ

還有請問 strain-free regions是什麼?

matrix又是什麼?

感恩啊

3 Answers

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  • Anonymous
    2 decades ago
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    如題目所說a.回復(recovery)b.再結晶(recrystallization)c.晶粒成長(grain growth)就知道是再結晶或是再結晶退火方面的三步驟 recovery糾結的差排就近重整排列成多邊形此時組織就為多邊形化(polygonization)這個多邊形組織又叫做次晶粒(subgrain)次晶粒為低角晶界...................(1)強度硬度無明顯變化因為差排數量不變這個階段的驅動力是降低應變能(strain energy) recrystallization(0.4Tm<T<0.6Tm)次晶粒成長成小晶粒此時差排數目明顯減少因為dislocation climb(我忘了中文,應該是差排爬升)強度硬度明顯下降伸長率明顯提升(dislocation rearrangement+dislocation annihilation→softing)這個階段的驅動力也是降低應變能(strain energy) grain growth(T>0.6Tm)小晶粒長成大晶粒.................(2)以大吃小的方式進行晶界向曲率中心移動這個階段的驅動力是降低晶界能(strain energy)  補充(1)一般的晶界為高角晶界像蜂窩狀一樣這樣才有高的差排密度(2)防止晶粒成長最有效的方法就是以兩相存在其他你就自己整理了名詞解釋matrix→基地(有關散佈強化,基地通常是軟材,鑄鐵是特例)strain-free regions→(不太清楚,我問別人是無應變區的意思)

  • 2 decades ago

    嗯~如下面有人所給的意見~資料太少了~我就針對我知道的和你說說吧

    你的一些問題應該是長晶方面的問題

    單純的長晶,是指在silicon上透過oxidation還是用CVD的方法去成長

    首先wafer表面會有要沈積的分子,等到分子多了..會集聚在一起..而形成很多的大分子..時間再長一點,大分子就會連結在一起,而形成film就完成長晶的過程

    而再結晶呢..則是一些元件可能經過一些制程,讓wafer產生defect

    為了避免defect產生的leakage,所以可以讓wafer再結晶以減少defect,而用的方法就是把wafer放在高溫的爐管中加熱,讓原子的共價鍵得到足夠的能量,而使原本有defect的地方的lattice再次的鍵結,而達到使defect消除的方法.

    Source(s): 腦中的東西 and VLSI製程技術
  • Anonymous
    2 decades ago

    給一下原文吧,通知我,幫你看看。

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